Проверка транзисторов мультиметром и в схеме

Мультиметр способен обнаружить многие грубые повреждения транзистора: короткое замыкание переходов, обрыв, повреждение встроенный диод. Но он использует небольшой тестовый ток и низкое напряжение, поэтому не подтверждает, что прибор выдерживает рабочий ток, напряжение, температуру или имеет нормальное усиление.

Перед измерением нужен техническое описание с распиновкой. Проверка снятого компонента проще, потому что параллельные цепи платы не влияют на результат. В схеме сначала оценивают, какие резисторы, диоды и обмотки соединены с выводами.

• BJT можно предварительно представить как два p-n-перехода, сходящихся в базе, но коллектор и эмиттер не полностью взаимозаменяемы.
• Для NPN diode mode обычно показывает прямое падение от базы к эмиттеру и от базы к коллектору при правильной полярности щупов.
• MOSFET имеет изолированный gate; низкое сопротивление gate-source обычно указывает на повреждение.
• встроенный диод силового MOSFET виден в одном направлении между D и S.
• Gate может зарядиться от мультиметра и временно открыть MOSFET, поэтому перед сравнением состояния его разряжают на source.

Прозвонка BJT как «двух диодов» хорошо обнаруживает пробой, но не измеряет β в реальном режиме. Даже функция hFE некоторых мультиметров работает при очень малом токе и может не отражать поведение в схеме.

MOSFET может проходить простой diode-test и всё равно иметь повышенный RDS(on), плохой avalanche-ресурс или пробой только при высоком VDS. Поэтому после статической проверки необходим функциональный тест или измерения в рабочей схеме с ограничением энергии.

Используйте заведомо исправные маломощные BJT и MOSFET и сравните с заранее повреждёнными учебными образцами, если они есть.

1. Определите распиновку каждого компонента по техническое описание.
2. Для BJT измерьте оба базовых перехода в прямом и обратном направлении.
3. Проверьте отсутствие явного C-E короткого замыкания.
4. Для MOSFET проверьте G-S, G-D и встроенный диод D-S.
5. После статического теста выполните низковольтную проверку под нагрузкой и сравните VCEsat или VDS/RDS(on).

• Проверять транзистор без знания распиновки.
• Считать два нормальных p-n-перехода BJT полной гарантией исправности.
• Принимать заряд gate MOSFET за хаотическое поведение прибора.
• Измерять компонент в схеме и игнорировать параллельные пути.

Если транзистор проходит статический тест, но схема работает плохо, измеряют реальные управляющие и силовые напряжения: VBE/VCE для BJT, VGS/VDS для MOSFET, ток и нагрев. Сравнение с исправным каналом часто эффективнее, чем повторная прозвонка.

Мультиметр — быстрый фильтр грубых неисправностей, а не стенд полной квалификации транзистора. Полноценный вывод требует проверки поведения в ожидаемом электрическом режиме.